场效应MOS管NCE01P18K参数
PD最大耗散功率：70W ID最大漏源电流：-18A V(BR)DSS漏源击穿电压：-100V RDS(ON)Ω内阻：0.1Ω VRDS(ON)ld通态电流：-16A VRDS(ON)栅极电压：-10V VGS(th)V开启电压：-1~-3V VGS(th)ld(μA)开启电流：-250μANCE01P18K 是一款备受推崇的高性能功率场效应管，其出色的应用场景和参数特点令人瞩目。
场效应MOS管NCE01P18K参数
PD最大耗散功率：70W ID最大漏源电流：-18A V(BR)DSS漏源击穿电压：-100V RDS(ON)Ω内阻：0.1Ω VRDS(ON)ld通态电流：-16A VRDS(ON)栅极电压：-10V VGS(th)V开启电压：-1~-3V VGS(th)ld(μA)开启电流：-250μANCE01P18K 是一款备受推崇的高性能功率场效应管，其出色的应用场景和参数特点令人瞩目。
版权说明：文章均为账号作者发布，不代表本网站观点与立场，如有侵权请联系我们删除
联系我们 | 关于我们 | 版权申明 | 智讯网 广州小漏斗信息技术有限公司 版权所有 粤ICP备20006251号